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英飞凌集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2青青草a免费线观a

2011/5/30 9:20:25   青青草网站导航在线网
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    日前,英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新,设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会上,英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2,它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD青青草a免费线观a的优点,不仅可以提高能效,而且具备更软的交换功能,从而降低了电磁干扰(EMI),提升青青草a免费线观a的竞争优势。 

英飞凌推出集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2青青草a免费线观a

    650V CoolMOS™ CFD2集快速开关超级结技术MOSFET的优越性于一身,包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。此外,该青青草a免费线观a具备更低单位面积通态电阻和更低容性开关损耗,允许轻松控制开关行为,并且提供了当前市场上最结实耐用的体二极管。相比于前代青青草a免费线观a600V CFD,新推出的CoolMOS™ CFD2青青草a免费线观a还降低了系统成本。总体而言,它是适用于谐振开关拓扑的最优选择。

    英飞凌预计,650V CoolMOS™ CFD2的最大潜在市场包括太阳能逆变器、服务器、照明装置和用于通信系统的开关青青草网站导航(SMPS)等。 

    英飞凌科技高压MOS青青草a免费线观a线经理Jan-Willem Reynaerts指出,“凭借我们具有革命意义的CoolMOS™技术,英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决方案进一步壮大了CoolMOS™青青草a免费线观a阵营,并且设立了新的行业标准,例如,将光伏逆变器的效率提高至98.1%。” ■

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本文链接:英飞凌集成快速体二极管的650V Co
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